估值100亿 比亚迪芯片到底什么水平？

比亚迪半导体有限公司（BYD Semiconductor Co.，Ltd.）最近的财务状况一直不错。继5月26日融资19亿元后，6月15日又获得8亿元融资。一个月内融资两次，估值102亿元，明确将适时独立上市。王传福曾经说过， “事实上，如果我当时没有制造汽车，我们就会制造半导体。看来有了芯片，比亚迪真的会陷入困境。芯片是中国先进制造业的一大隐痛。在中国芯片行业整体疲软的背景下，汽车制造商生产的芯片能有多优秀？无论技术是否有效，专利都有最大的发言权。”。因此，我们整理了比亚迪申请的所有IGBT芯片专利，分析结果如下--

IGBT是绝缘栅双极结晶体管的学名，通常被称为电力电子设备的“CPU”。IGBT是能量转换和传输的核心器件，与动力电池一样，也是新能源汽车的核心技术。IGBT芯片的设计和制造过程非常困难，中国IGBT产业长期处于停滞状态。中高端IGBT产能严重不足，几乎全部依赖英飞凌等国际巨头。随着产业规模的扩大，中国新能源汽车急需一款强大的IGBT“中国芯片”。

比亚迪申请了多少专利？2007年，比亚迪提交了第一份IGBT专利申请。截至2020年5月8日，比亚迪在Dewant世界专利数据库中披露的IGBT专利家族共有130个，其中专利记录231项。这就是比亚迪IGBT芯片目前的全部技术专长，其中75%的专利位于。

那么，国际社会231项授权专利的水平是多少？富士电机、三菱电机和英飞凌拥有最多的IGBT专利，但它们都起步较早。在20世纪80年代，富士电机和三菱电机就已经进行了IGBT技术的研发。目前，两家公司分别拥有1733个和1056个专利家族；尽管英飞凌在1994年才申请了其首个IGBT专利，但申请数量增长迅速，近年来排名第一，已成为汽车级IGBT芯片的领导者。

比亚迪IGBT的发展比日本晚了20多年！

我的基础很弱，只能跑得很快。我在哪里赶上的？比亚迪的技术流程处于什么水平？比亚迪于2005年成立IGBT团队，并于2008年收购了因资不抵债而被宣布破产的宁波中微集成电路。这笔交易之后，比亚迪开始了自己的IGBT芯片研发。2015年，比亚迪的IGBT工艺克服了非直通技术工艺，并于2018年推出了汽车级IGBT 4.0技术。该技术在非贯通型的顶部增加了复合场终止层，并进一步减小了芯片厚度。在2018年9月发布的一项专利中，比亚迪提出了一种深槽格栅的技术解决方案；

在2019年3月和4月发布的两项专利中，提出了现场终端层的技术解决方案。

芯片，每个人都喜欢谈论哪一代技术，代数水平越高，水平就越高。芯片技术水平的代数划分没有固定的标准。通过与广泛采用的一代标准进行比较，可以发现比亚迪IGBT芯片整体仍处于第四代，在过去两年中，它们一直在尝试在第五代甚至第六代技术上取得突破。在国际上，2018年，IGBT芯片已进入“微槽栅极+场截止”的第七代技术，三菱电机、富士电机和英飞凌推出了产品。比亚迪的技术迭代仍处于追赶和追赶的状态。

比亚迪专注于发展什么？我们使用了两种方法来研究比亚迪IGBT的关键重点领域。第一种类型是由Dewant进行的简单明了的专利索引手动代码排序。Dewant的手动代码排序显示，除了关键的MOS栅双极管外，无机材料的沉积、栅电极、电极和互连层的加工、半导体热处理、散热、硅基材料、电动汽车电子控制系统，等等也是比亚迪IGBT专利布局相对集中的技术领域。

第二种方法是专利文本挖掘。借助incoPart专利数据平台，我们对比亚迪的IGBT专利数据进行了文本聚类，绘制了关键技术研发专利的地形图。图中深色轮廓线代表比亚迪专利技术研发密集区。从这张专利图中，如果你是一个技术硬核，你可以理解比亚迪的IGBT专利专注于：IGBT结构、散热、IGBT芯片、IGBT模块、覆铜陶瓷基板、电子控制技术等。模块开发实际上是比亚迪在2010年之前的一个重点，目前仍属于相对较低的水平。比亚迪在过去三年里做了什么？

在过去的三年里，比亚迪最关注的是基板制造、IGBT芯片封装、散热等技术话题。此外，该公司还关注IGBT芯片制造工艺、加工设备、过程控制和电子控制系统。在IGBT制造工艺方面，目前的研究重点是光刻、沟道绝缘层、扩散金属掺杂等。此外，比亚迪投资布局了第三代半导体材料SiC，愿景是到2023年用SiC基半导体完全取代硅基半导体。

比亚迪拥有哪些核心专利？专利实力可以证明专利的重要性。知识提示：专利强度是Innography提出的一个核心专利评估指标。我们综合了10多个影响专利价值的变量，包括专利权利要求的数量、以前的技术文献引用的数量、专利引用的次数、专利家族的规模、专利申请的持续时间、专利年龄和专利诉讼情况。专利强度值的范围为0-100，专利强度值越高，专利越重要。对比亚迪所有专利家族进行强度分析，发现有10个专利家族的专利强度超过60。没错，这些都是比亚迪的核心IGBT技术专利，也是比亚迪“不可触碰”的专利枢纽。这些专利的保护内容涉及过电流保护、过温保护、电子控制系统和故障检测、IGBT制造工艺等。我们深思熟虑地提供了这十项专利的公开号。通过出版物编号，您可以找到用于研究的专利说明书的全文。我们只能在这里帮助你。

它在国际舞台上处于什么水平？说了这么多，比亚迪IGBT芯片究竟处于什么水平？作为一名“后进生”，与在IGBT领域深耕多年的国际巨头相比，比亚迪还需要专注哪些任务？首先，直接转到上一张图片-……

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比亚迪位于第三象限，与意大利半导体和半导体大致处于同等竞争地位。在技术竞争力和运营实力方面，与英飞凌等领先企业相比存在显著差距。英飞凌、日立、电装位于I象限，整体实力最强；富士和三菱电机处于第四象限，技术竞争力较强，但业务实力略弱；瑞萨电子处于第二象限，表明其业务实力强劲，技术实力略落后。技术差距在哪里？通过使用Dewant的手册代码分析比亚迪、英飞凌、日立、电气设备、富士和三菱电机的IGBT专利技术布局，可以看出其他五家公司的专利布局更为全面；第二是MOS栅极双极管、双极管和二极管、双极晶体管制造、基板上金属氧化物等无机材料的沉积、双极晶体管和栅电极，这是六家公司共同关注的技术领域。

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值得注意的是，英飞凌在沉积金属氧化物和栅电极领域的专利数量已经超过了制造业，这表明英飞凌的栅极处理技术布局较大，在五大领域中最为领先。此外，比亚迪在绝缘栅场效应晶体管领域的研发布局目前相对较弱。MOSFET是低功率半导体，不能在高电压和高电流下工作，这符合比亚迪专注于开发汽车级IGBT芯片的战略。从2005年成立团队开始，比亚迪已经在芯片方面工作了15年。目前，比亚迪在国内汽车IGBT领域已经取得了一定的话语权，并初步形成了涉及材料、散热、工艺技术、电路保护、电子控制系统等方面的专利布局体系。然而，与英飞凌、富士电机、三菱电机等领先的IGBT巨头相比，比亚迪还有很长的路要走，研发的深度和广度还有待进一步提高。

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尽管比亚迪的IGBT芯片已经进入第5代和第6代技术进程，但在第4代仍在量产。三菱电机于2009年推出了第6代产品，而富士电机自2015年以来一直在提供第7代产品的样品。2018年，英飞凌、富士电机和三菱电机都大规模生产了第7代产品。2018年底，比亚迪宣布可以将晶圆厚度降至120μm。英飞凌的IGBT芯片已经可以降至最低40μm。就商业化而言，比亚迪半导体在全球IGBT市场的市场份额不到2%。即使在国内市场，比亚迪的汽车IGBT市场份额也只有20%左右，外国企业仍然占据着最大的蛋糕。例如，英飞凌在2019年向中国新能源汽车市场供应了63万套IGBT模块，市场份额为58%。因此，IGBT已经“国产化”了电力，比亚迪正在“国产化“IGBT。接下来的问题是，比亚迪能否在多渠道资本的支持下迅速抢占“英飞凌”的蛋糕。

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