12月10日，比亚迪在宁波发布IGBT4.0技术。
活动地点
比亚迪IGBT4.0晶圆IGBT（绝缘栅双极型晶体管）全名为“绝缘栅双极晶体管”，其芯片和动力电池也被称为电动汽车的“双核”，这是影响电动汽车性能的关键技术，其成本约占整车成本的5%。对于电动汽车，IGBT直接控制驱动系统中直流和交流的转换，从而决定车辆的扭矩和最大输出功率。作为中国第一家实现车用级IGBT大规模量产的汽车企业，也是唯一一家拥有完整IGBT产业链的汽车企业。比亚迪在本次大会上还宣布了另一个消息：比亚迪已投入巨资布局性能更好的第三代半导体材料SiC（碳化硅），预计将于2019年推出搭载SiC电子控制的电动汽车。预计到2023年，比亚迪的电动汽车将全面搭载碳化硅电子控制。比亚迪推出IGBT4.0，引领车载级功率半导体的发展。IGBT是一种汽车功率半导体。因其设计门槛高、制造技术难度大、投资大，被业内称为电动汽车核心技术的“珠穆朗玛峰”。此前，这项技术主要掌握在国际巨头手中。“比亚迪凭借强大的研发实力、人才聚集和配套产业链，在汽车功率半导体领域取得了非常核心的突破。这个突破不是今天可以实现的，而是明天的投资。这是十多年积累的技术、人才和产业链。只有这样才能实现。”周生明，中国半导体工业协会集成电路设计分会副会长在活动现场如是说。
IGBT的制造很困难。比亚迪在1200V汽车规格IGBT芯片的晶片厚度方面处于世界先进水平，可以减少到120um（大约两根头发的直径）。经过10多年的技术积累，比亚迪IGBT得到了迭代更新。活动现场，中国电器工业协会电力电子分会秘书长魏红旗，他表示：“比亚迪较早布局了其在电动汽车功率半导体领域的地位，并努力在电动汽车电源半导体领域创造领先地位。不必担心在中国电动汽车的发展中停滞不前。“据了解，比亚迪推出的IGBT4.0在许多关键技术指标上优于当前市场的主流产品，如：1。电流输出能力比当前市场主流IGBT高15%，支持车辆具有更强的加速能力和更大的功率输出能力。2.在相同的工作条件下，与目前市场上主流的IGBT相比，综合损耗降低了约20%。这意味着，当电流通过IGBT器件时，损耗降低，这使得整车的功耗显著降低。以比亚迪的新一代唐为例。在其他条件不变的情况下，只有一项技术成功地将每100公里的功耗降低了约3%。3.温度循环寿命可以是目前市场主流IGBT的10倍以上。这意味着比亚迪电动汽车在应对各种极端气候和路况时可以具有更高的可靠性和更长的使用寿命。此前，比亚迪电动汽车凭借其优异的性能和稳定的可靠性，已经完成了世界上最严峻的自然环境的测试，从新疆吐鲁番的高温到北欧的极寒，再到青藏高原的高海拔，并成功经历了各种气候的测试，全球300多个市场的路况和驾驶习惯得到了广泛认可。建立电动汽车性能的基准。在刚刚结束的2018广州车展上，比亚迪新一代唐EV正式预售，预售当天订单超过2000辆。欧阳明，中国科学院院士高增……
国家863重大项目“节能与新能源汽车”专家组组长Ces表示，比亚迪新一代唐“已经可以与世界上任何一家汽车公司的电动汽车技术相媲美，代表了目前电动汽车制造的最高水平”。从2015年到2017年，比亚迪的电动汽车销量已经连续三年位居世界第一。这与比亚迪在IGBT等核心技术领域的先进布局密不可分。十多年前，王传福布局了电动汽车的核心技术。作为2003年进入汽车行业的新玩家，比亚迪从一开始就高度重视IGBT等电动汽车核心技术的自主研发和创新。2005年，比亚迪成立了自己的研发团队，并投入巨资布局IGBT产业。2009年9月，比亚迪IGBT芯片通过了中国电器工业协会电力电子分会组织的科技成果鉴定，打破了国际巨头的技术垄断。目前，比亚迪已掌握IGBT芯片的设计制造、模块设计制造、大功率器件测试与应用平台、电源与电子控制等，是国内唯一拥有完整IGBT产业链的汽车企业。
通过中国电器工业协会电力电子分会组织的科技成果鉴定，比亚迪IGBT芯片已提前布局。比亚迪想带领电动汽车改革再次“驯服”IGBT，比亚迪已将目光转向更远的未来。根据比亚迪的预测，随着电动汽车性能的不断提高，对功率半导体元件提出了更高的要求，目前的IGBT也将接近硅材料的性能极限。寻找芯片损耗更低、电流输出能力更强、耐高温的新型半导体材料已成为学术界和工业界的普遍共识。据悉，比亚迪已在第三代半导体材料SiC的布局上投入巨资，将整合材料（高纯碳化硅粉末）、单晶、外延、芯片和封装等SiC基半导体的全产业链，努力降低SiC器件的制造成本，加快其在电动汽车领域的应用。
第三代半导体材料SiC
在比亚迪SiC晶圆发布会上，比亚迪宣布已成功开发出SiC MOSFET（汽车功率半导体包括基于硅或碳化硅的IGBT或MOSFET等），预计将于2019年推出搭载SiC电子控制的电动汽车。预计到2023年，比亚迪将在其电动汽车中用SiC基车用功率半导体完全取代硅基IGBT，并在现有基础上将汽车性能提高10%。比亚迪第六事业部和太阳能事业部总经理陈刚表示：“SiC MOSFET将成为比亚迪电动汽车性能持续迭代更新的新一代‘杀手’。我们希望在加速和电池寿命等性能指标方面给消费者带来更多惊喜。”随着技术创新，中国的汽车工业将得到促进。过去很长一段时间，IGBT的核心技术始终掌握在外国制造商手中，90%的高端IGBT市场被国际巨头垄断，导致“一核难求”，成为制约中国电动汽车行业健康快速发展的主要瓶颈。根据全球三大电子元件分销商之一Future Electronics LTD的统计，2018年，车载级IGBT模块的最长交付周期已达到52周（通常IGBT的交付周期为8-12周）。2018年至2022年，全球电动汽车的年复合增长率达到30%，但同期车用级IGBT市场的年复合增速仅为15.7%。可以预见，未来几年，全球汽车IGBT市场的供应将越来越紧张。得益于功率半导体等核心技术，比亚迪在全球……销量排名第一……
电动汽车在过去三年中，推动了中国电动汽车行业的快速发展。正是在这三年里，中国的电动汽车生产和销售继续领先于世界，全球拥有率达到50%。12月10日，比亚迪在宁波发布IGBT4.0技术。
活动地点
比亚迪IGBT4.0晶圆IGBT（绝缘栅双极型晶体管）全名为“绝缘栅双极晶体管”，其芯片和动力电池也被称为电动汽车的“双核”，这是影响电动汽车性能的关键技术，其成本约占整车成本的5%。对于电动汽车，IGBT直接控制驱动系统中直流和交流的转换，从而决定车辆的扭矩和最大输出功率。作为中国第一家实现车用级IGBT大规模量产的汽车企业，也是唯一一家拥有完整IGBT产业链的汽车企业。比亚迪在本次大会上还宣布了另一个消息：比亚迪已投入巨资布局性能更好的第三代半导体材料SiC（碳化硅），预计将于2019年推出搭载SiC电子控制的电动汽车。预计到2023年，比亚迪的电动汽车将全面搭载碳化硅电子控制。比亚迪推出IGBT4.0，引领车载级功率半导体的发展。IGBT是一种汽车功率半导体。因其设计门槛高、制造技术难度大、投资大，被业内称为电动汽车核心技术的“珠穆朗玛峰”。此前，这项技术主要掌握在国际巨头手中。“比亚迪凭借强大的研发实力、人才聚集和配套产业链，在汽车功率半导体领域取得了非常核心的突破。这个突破不是今天可以实现的，而是明天的投资。这是十多年积累的技术、人才和产业链。只有这样才能实现。”周生明，中国半导体工业协会集成电路设计分会副会长在活动现场如是说。
IGBT的制造很困难。比亚迪在1200V汽车规格IGBT芯片的晶片厚度方面处于世界先进水平，可以减少到120um（大约两根头发的直径）。经过10多年的技术积累，比亚迪IGBT得到了迭代更新。活动现场，中国电器工业协会电力电子分会秘书长魏红旗，他表示：“比亚迪较早布局了其在电动汽车功率半导体领域的地位，并努力在电动汽车电源半导体领域创造领先地位。不必担心在中国电动汽车的发展中停滞不前。“据了解，比亚迪推出的IGBT4.0在许多关键技术指标上优于当前市场的主流产品，如：1。电流输出能力比当前市场主流IGBT高15%，支持车辆具有更强的加速能力和更大的功率输出能力。2.在相同的工作条件下，与目前市场上主流的IGBT相比，综合损耗降低了约20%。这意味着，当电流通过IGBT器件时，损耗降低，这使得整车的功耗显著降低。以比亚迪的新一代唐为例。在其他条件不变的情况下，只有一项技术成功地将每100公里的功耗降低了约3%。3.温度循环寿命可以是目前市场主流IGBT的10倍以上。这意味着比亚迪电动汽车在应对各种极端气候和路况时可以具有更高的可靠性和更长的使用寿命。此前，比亚迪电动汽车凭借其优异的性能和稳定的可靠性，已经完成了世界上最严峻的自然环境的测试，从新疆吐鲁番的高温到北欧的极寒，再到青藏高原的高海拔，并成功经历了各种气候的测试，全球300多个市场的路况和驾驶习惯得到了广泛认可。B……
ld是电动汽车性能的基准。在刚刚结束的2018广州车展上，比亚迪新一代唐EV正式预售，预售当天订单超过2000辆。中国科学院院士、国家863重大项目“节能与新能源汽车”专家组组长欧阳明高增评价称，比亚迪新一代唐“已经可以与世界上任何一家车企的电动汽车技术相媲美，代表了目前电动汽车制造的最高水平”。从2015年到2017年，比亚迪的电动汽车销量已经连续三年位居世界第一。这与比亚迪在IGBT等核心技术领域的先进布局密不可分。十多年前，王传福布局了电动汽车的核心技术。作为2003年进入汽车行业的新玩家，比亚迪从一开始就高度重视IGBT等电动汽车核心技术的自主研发和创新。2005年，比亚迪成立了自己的研发团队，并投入巨资布局IGBT产业。2009年9月，比亚迪IGBT芯片通过了中国电器工业协会电力电子分会组织的科技成果鉴定，打破了国际巨头的技术垄断。目前，比亚迪已掌握IGBT芯片的设计制造、模块设计制造、大功率器件测试与应用平台、电源与电子控制等，是国内唯一拥有完整IGBT产业链的汽车企业。
通过中国电器工业协会电力电子分会组织的科技成果鉴定，比亚迪IGBT芯片已提前布局。比亚迪想带领电动汽车改革再次“驯服”IGBT，比亚迪已将目光转向更远的未来。根据比亚迪的预测，随着电动汽车性能的不断提高，对功率半导体元件提出了更高的要求，目前的IGBT也将接近硅材料的性能极限。寻找芯片损耗更低、电流输出能力更强、耐高温的新型半导体材料已成为学术界和工业界的普遍共识。据悉，比亚迪已在第三代半导体材料SiC的布局上投入巨资，将整合材料（高纯碳化硅粉末）、单晶、外延、芯片和封装等SiC基半导体的全产业链，努力降低SiC器件的制造成本，加快其在电动汽车领域的应用。
第三代半导体材料SiC
在比亚迪SiC晶圆发布会上，比亚迪宣布已成功开发出SiC MOSFET（汽车功率半导体包括基于硅或碳化硅的IGBT或MOSFET等），预计将于2019年推出搭载SiC电子控制的电动汽车。预计到2023年，比亚迪将在其电动汽车中用SiC基车用功率半导体完全取代硅基IGBT，并在现有基础上将汽车性能提高10%。比亚迪第六事业部和太阳能事业部总经理陈刚表示：“SiC MOSFET将成为比亚迪电动汽车性能持续迭代更新的新一代‘杀手’。我们希望在加速和电池寿命等性能指标方面给消费者带来更多惊喜。”随着技术创新，中国的汽车工业将得到促进。过去很长一段时间，IGBT的核心技术始终掌握在外国制造商手中，90%的高端IGBT市场被国际巨头垄断，导致“一核难求”，成为制约中国电动汽车行业健康快速发展的主要瓶颈。根据全球三大电子元件分销商之一Future Electronics LTD的统计，2018年，车载级IGBT模块的最长交付周期已达到52周（通常IGBT的交付周期为8-12周）。2018年至2022年，全球电动汽车的年复合增长率达到30%，但车用IGBT的年复合增速……
同期ket仅为15.7%。可以预见，未来几年，全球汽车IGBT市场的供应将越来越紧张。得益于功率半导体等核心技术，比亚迪在过去三年中位居全球电动汽车销量第一，推动了中国电动汽车行业的快速发展。正是在这三年里，中国的电动汽车生产和销售继续领先于世界，全球拥有率达到50%。
微增长已经成为当下车市的主旋律，很多车企举步维艰，不过寒潮下的长城，表现的却很“另类”。继9月、10月的连续增长后，11月长城汽车依然保持增长态势。
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