英飞凌的国产野望

作为全球最大的IGBT供应商，英飞凌的一举一动都备受关注。近日在中国国际进口博览会(CIIE)上，英飞凌宣布将在中国投资，扩建无锡工厂的IGBT(绝缘栅双极晶体管芯片)模块生产线。扩建后的无锡工厂将成为英飞凌最大的IGBT生产基地之一。

英飞凌科技CMO约亨·哈尼贝克(Jochen Hanebeck)在现场对媒体表示:“无锡工厂的升级和扩建将有助于英飞凌巩固其在全球IGBT业务中的领先地位。”言下之意是，这将巩固英飞凌的技术和成本优势，从而增加国内投资以应对中国公司的挑战。

因为，随着国内新能源汽车市场的逐渐成熟，中国公司也在迅速崛起，并在株州CRRC、比亚迪半导体、兰斯微电子、华为微电子、华润微等之间展开竞争。变得激烈了。

巨人之路

英飞凌是一家德国公司，在汽车半导体行业排名第二，下设四个部门:汽车IGBT、电源管理PMM、工业IGC和智能芯片DSS。英飞凌的主要业务是IGBT。据业内专家介绍，目前其汽车级IGBT产品的销售份额约占44%，工业级产品约占18%。

营收方面，英飞凌今年第四财季(7-9月)较上一季度增长14.5%，达到24.9亿欧元(约合29.45亿美元)，去年同期为20.6亿欧元。但其净利润同比减少32.3%，至1.09亿欧元(约合1.29亿美元)。总的来说，它的业务发展很快。

说到IGBT，据IHS Markit统计，IGBT占驱动电机成本的一半，占整车成本的7%-10%，可以说是影响车辆扭矩和最大输出功率的关键部件。据相关预测，到2030年，一辆智能电动汽车的电子元件成本将占到整车成本的50%。2025年，汽车半导体市场预计将超过1000亿美元，占全球半导体市场的15%。可以说IGBT潜力无限。

但由于IGBT生产技术要求高，过去几年一直被欧美和日本的厂商垄断，如德国的英飞凌和半导体，日本的富士和三菱。直到近几年，国内的比亚迪和斯达半导在一些领域实现了突破。

英飞凌是全球为数不多的采用IDM(集成器件制造)模式的垂直整合制造商，包括电路设计、晶圆制造、封装测试，以及对消费市场的投资。英飞凌有自己的晶圆厂、封装厂和测试厂。

今年4月16日，英飞凌以90亿欧元成功收购美国同行赛普拉斯。由此，英飞凌一举超越老对手恩智浦，成为全球最全、最大的汽车半导体巨头。未来，“新英凌飞”将聚焦新能源汽车、自动驾驶、汽车舒适性配置三大领域。

目前英飞凌的工厂布局是:德国的两个工厂，德累斯顿晶圆厂和沃尔斯坦封装厂。匈牙利有封装厂，菲拉赫的12英寸晶圆厂正在建设中，预计2021年初投产。马来西亚是晶圆和封装厂，分两期建设。新加坡有一家密封厂。

英飞凌在中国有三家工厂，其中英飞凌科技(无锡)有限公司是早在1995年就在无锡高新区成立的第一家企业。2015年，英飞凌在无锡增资，成立英飞凌半导体(无锡)有限公司，生产IGBT模组。2017年，英飞凌还成立了英飞凌无锡能力创新中心。此外，英飞凌还有苏州存储器厂和北京斯塔克套件风电变流器组装厂。

在研发方面，英飞凌今年在上海成立了全新的工业功率半导体产品开发团队，开发定制……光伏、充电桩、电动公交车等本地客户的半导体模块。定制的半导体模块未来也将在无锡工厂投产。英飞凌还在深圳建设了新的能力中心，瞄准智慧城市、物联网等行业。

英飞凌的狂想

从技术上来说，英飞凌的IGBT芯片在3代和4代，7代产品何时发布还没有确切消息。

科普一下，英飞凌的3、4代芯片与日本的6、7代芯片不同，其4代芯片相当于日本的6、7代芯片。英飞凌第三代芯片产品用了15到20年，第四代产品在国内销售10年以上，技术成熟。

业内人士表示，3代、4代、7代芯片的区别主要在于结温和工艺的变化。3代芯片最高结温150摄氏度，4代芯片最高结温175摄氏度，7代芯片最高结温可达200摄氏度。结温的提升主要来自于芯片工艺的升级和键合线的变化，而7代芯片的工艺得到了优化升级。

目前英飞凌车辆规格较高的产品有HP1和HP2。HP1是老产品，HP2是近四五年推出的升级产品，主要是电流和功率方面。2019年12月，无锡工厂HP Drive正式获批投产，这也是一个标志性事件。

据英飞凌科技大中华区高级副总裁、汽车电子事业部负责人曹介绍，目前英飞凌正在推广一项名为EDT2(电动动力总成)的技术，该技术已应用于相关产品中。例如，英飞凌将在无锡工厂的IGBT模块生产线上生产的hybrid pack双面散热模块就采用了EDT2技术。该技术可以在10~150 kW的功率范围内将逆变器的效率提高到98%以上。

此外，英飞凌还将扩大其在无锡的IGBT模块生产线，生产用于风力发电、光伏发电和许多工业应用的easy pack 1A/2A模块和1B/2B模块，以及用于家用电器和工业的功率模块设备，如CIPOS微型智能功率模块(IPM)。

从技术层面来说，以工业IGBT为例，与国内IGBT相比，英飞凌的IGBT一年不良率在5‰左右，国内IGBT在3%左右。这是国产IGBT和英飞凌这样的进口IGBT的重要区别，即“进口IGBT更注重品质，国产IGBT更有成本优势。”但车标IGBT的功率循环次数、热循环次数、抗冲击性能比工业级IGBT高5~10倍，其成本和技术也比工业级模块高。

从开发周期来看，进口汽车级IGBT从设计理念到产品上市一般需要三年左右(其中可靠性测试需要一年半)，而国产汽车级IGBT产品上线一般需要一年左右。据媒体业内人士透露，比亚迪汽车IGBT产品跳过了实验室的可靠性实验阶段，直接进行整车测试，遇到问题当场改进。但是，事实是否如此，还需要考证。

目前，据相关统计，IGBT在中国汽车市场的份额大约是英飞凌70%左右，其次是比亚迪15%，富士6%，三菱有一定份额，大约3%，其他厂商6%。可以说英飞凌的优势是垄断性的。

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另外，根据相关统计，目前车用级IGBT的应用从电机功率来看可以分为两部分，其中285V以上的大功率如336V、360V属于A00或A0级，约占80%。那么，如果电控部分使用20kW的IGBT模块，大约需要1~3个IGBT模块。

目前，IGBT材料是硅半导体，它已被用于更多的测试n 20年，它的潜力基本上最大化了。最大耐受电压6500伏，最大电流3600安，不可能有更大的突破。所以未来SiC碳化硅半导体会在某些领域和行业取代硅半导体，包括电动汽车。记者在相关文章《比亚迪的IGBT真的很牛逼吗？它在”中有详细说明。

总的来说，英飞凌扩建无锡工厂，一方面加速了国产化，迅速降低了产品成本，但另一方面也给竞争对手带来了很大的压力。未来，IGBT将会有另一场精彩的对决。

文/王晓曦

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[微信搜索“汽车公社”和“一句话点评”关注微信微信官方账号，或登陆《每日汽车》新闻网了解更多行业资讯。]作为全球最大的IGBT供应商，英飞凌的一举一动都备受关注。近日在中国国际进口博览会(CIIE)上，英飞凌宣布将在中国投资，扩建无锡工厂的IGBT(绝缘栅双极晶体管芯片)模块生产线。扩建后的无锡工厂将成为英飞凌最大的IGBT生产基地之一。

英飞凌科技CMO约亨·哈尼贝克(Jochen Hanebeck)在现场对媒体表示:“无锡工厂的升级和扩建将有助于英飞凌巩固其在全球IGBT业务中的领先地位。”言下之意是，这将巩固英飞凌的技术和成本优势，从而增加国内投资以应对中国公司的挑战。

因为，随着国内新能源汽车市场的逐渐成熟，中国公司也在迅速崛起，并在株州CRRC、比亚迪半导体、兰斯微电子、华为微电子、华润微等之间展开竞争。变得激烈了。

巨人之路

英飞凌是一家德国公司，在汽车半导体行业排名第二，下设四个部门:汽车IGBT、电源管理PMM、工业IGC和智能芯片DSS。英飞凌的主要业务是IGBT。据业内专家介绍，目前其汽车级IGBT产品的销售份额约占44%，工业级产品约占18%。

营收方面，英飞凌今年第四财季(7-9月)较上一季度增长14.5%，达到24.9亿欧元(约合29.45亿美元)，去年同期为20.6亿欧元。但其净利润同比减少32.3%，至1.09亿欧元(约合1.29亿美元)。总的来说，它的业务发展很快。

说到IGBT，据IHS Markit统计，IGBT占驱动电机成本的一半，占整车成本的7%-10%，可以说是影响车辆扭矩和最大输出功率的关键部件。据相关预测，到2030年，一辆智能电动汽车的电子元件成本将占到整车成本的50%。2025年，汽车半导体市场预计将超过1000亿美元，占全球半导体市场的15%。可以说IGBT潜力无限。

但由于IGBT生产技术要求高，过去几年一直被欧美和日本的厂商垄断，如德国的英飞凌和半导体，日本的富士和三菱。直到近几年，国内的比亚迪和斯达半导在一些领域实现了突破。

英飞凌是全球为数不多的采用IDM(集成器件制造)模式的垂直整合制造商，包括电路设计、晶圆制造、封装测试，以及对消费市场的投资。英飞凌有自己的晶圆厂、封装厂和测试厂。

今年4月16日，英飞凌以90亿欧元成功收购美国同行赛普拉斯。由此，英飞凌一举超越老对手恩智浦，成为全球最全、最大的汽车半导体巨头。未来，“新英凌飞”将聚焦新能源汽车、自动驾驶、汽车舒适性配置三大领域。

目前，英飞凌的工厂……yout是:德国的两家工厂，德累斯顿晶圆厂和沃尔斯坦包装厂。匈牙利有封装厂，菲拉赫的12英寸晶圆厂正在建设中，预计2021年初投产。马来西亚是晶圆和封装厂，分两期建设。新加坡有一家密封厂。

英飞凌在中国有三家工厂，其中英飞凌科技(无锡)有限公司是早在1995年就在无锡高新区成立的第一家企业。2015年，英飞凌在无锡增资，成立英飞凌半导体(无锡)有限公司，生产IGBT模组。2017年，英飞凌还成立了英飞凌无锡能力创新中心。此外，英飞凌还有苏州存储器厂和北京斯塔克套件风电变流器组装厂。

在研发方面，英飞凌今年在上海成立了全新的工业功率半导体产品开发团队，为当地客户开发光伏、充电桩、电动公交车等定制半导体模块。定制的半导体模块未来也将在无锡工厂投产。英飞凌还在深圳建设了新的能力中心，瞄准智慧城市、物联网等行业。

英飞凌的狂想

从技术上来说，英飞凌的IGBT芯片在3代和4代，7代产品何时发布还没有确切消息。

科普一下，英飞凌的3、4代芯片与日本的6、7代芯片不同，其4代芯片相当于日本的6、7代芯片。英飞凌第三代芯片产品用了15到20年，第四代产品在国内销售10年以上，技术成熟。

业内人士表示，3代、4代、7代芯片的区别主要在于结温和工艺的变化。3代芯片最高结温150摄氏度，4代芯片最高结温175摄氏度，7代芯片最高结温可达200摄氏度。结温的提升主要来自于芯片工艺的升级和键合线的变化，而7代芯片的工艺得到了优化升级。

目前英飞凌车辆规格较高的产品有HP1和HP2。HP1是老产品，HP2是近四五年推出的升级产品，主要是电流和功率方面。2019年12月，无锡工厂HP Drive正式获批投产，这也是一个标志性事件。

据英飞凌科技大中华区高级副总裁、汽车电子事业部负责人曹介绍，目前英飞凌正在推广一项名为EDT2(电动动力总成)的技术，该技术已应用于相关产品中。例如，英飞凌将在无锡工厂的IGBT模块生产线上生产的hybrid pack双面散热模块就采用了EDT2技术。该技术可以在10~150 kW的功率范围内将逆变器的效率提高到98%以上。

此外，英飞凌还将扩大其在无锡的IGBT模块生产线，生产用于风力发电、光伏发电和许多工业应用的easy pack 1A/2A模块和1B/2B模块，以及用于家用电器和工业的功率模块设备，如CIPOS微型智能功率模块(IPM)。

从技术层面来说，以工业IGBT为例，与国内IGBT相比，英飞凌的IGBT一年不良率在5‰左右，国内IGBT在3%左右。这是国产IGBT和英飞凌这样的进口IGBT的重要区别，即“进口IGBT更注重品质，国产IGBT更有成本优势。”但车标IGBT的功率循环次数、热循环次数、抗冲击性能比工业级IGBT高5~10倍，其成本和技术也比工业级模块高。

从开发周期来看，进口汽车级IGBT从设计理念到产品上市一般需要三年左右(其中可靠性测试需要一年半)，而国产汽车级IGBT产品上线一般需要一年左右。据媒体业内人士透露，比亚迪汽车IGBT产品在分娩时跳过了可靠性实验阶段……ory，并且直接进行了整车测试，遇到问题当场改进。但是，事实是否如此，还需要考证。

目前，据相关统计，IGBT在中国汽车市场的份额大约是英飞凌70%左右，其次是比亚迪15%，富士6%，三菱有一定份额，大约3%，其他厂商6%。可以说英飞凌的优势是垄断性的。

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另外，根据相关统计，目前车用级IGBT的应用从电机功率来看可以分为两部分，其中285V以上的大功率如336V、360V属于A00或A0级，约占80%。那么，如果电控部分使用20kW的IGBT模块，大约需要1~3个IGBT模块。

目前IGBT材料是硅半导体，已经用了20多年，潜力基本发挥到极致。最大耐受电压6500伏，最大电流3600安，不可能有更大的突破。所以未来SiC碳化硅半导体会在某些领域和行业取代硅半导体，包括电动汽车。记者在相关文章《比亚迪的IGBT真的很牛逼吗？它在”中有详细说明。

总的来说，英飞凌扩建无锡工厂，一方面加速了国产化，迅速降低了产品成本，但另一方面也给竞争对手带来了很大的压力。未来，IGBT将会有另一场精彩的对决。

文/王晓曦

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标签：比亚迪三菱北京DS

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