研究发现新型超薄电极材料 可控制半导体电气特性

为了实现人工智能系统和自动驾驶系统，处理器必须能够处理更多的数据。然而，硅基逻辑器件的局限性在于，由于小型化和集成技术的不断发展，加工成本和功耗不断增加。

为了克服上述问题，研究人员正在原子水平上研究基于薄二维半导体的电子和逻辑器件。然而，与传统的硅基半导体器件相比，通过掺杂二维半导体来控制电学特性更加困难。因此，用二维半导体实现逻辑器件在技术上非常具有挑战性。

图片来源:KIST

韩国科学技术研究院(KIST)院长Seok-jin Yoon宣布，一个联合研究小组已经实现了基于二维半导体的电子和逻辑器件，其电化学特性可以通过一种新的超薄电极材料(Cl-SnSe2)来控制。该研究小组由KIST光电材料和器件中心的Do Kyung Hwang博士和国立群山大学物理系的Kimoon Lee教授领导。

图片来源:KIST

由于费米能级钉扎现象，传统的二维半导体器件只表现出N型或P型器件的特性，因此很难实现互补逻辑电路。相比之下，新的电极材料可以通过最小化与半导体界面处的缺陷来自由控制N型和P型器件的特性。换句话说，单个器件可以执行N型和P型器件的功能。因此，没有必要分别制造N型和P型器件。利用该器件，联合研究团队成功实现了一种高性能、低功耗、互补的逻辑电路，可以进行NOR、NAND等逻辑运算。

黄博士说:“这一发展将有助于加速下一代系统技术的商业化，如人工智能系统。由于传统硅半导体器件的小型化和高集成度带来的技术限制，这些技术已经很难在实际应用中使用。新开发的二维电极材料非常薄，因此具有高透射率和柔性，可用于下一代柔性透明半导体器件。”

2为了实现人工智能系统和自动驾驶系统，处理器必须能够处理更多的数据。然而，硅基逻辑器件的局限性在于，由于小型化和集成技术的不断发展，加工成本和功耗不断增加。

为了克服上述问题，研究人员正在原子水平上研究基于薄二维半导体的电子和逻辑器件。然而，与传统的硅基半导体器件相比，通过掺杂二维半导体来控制电学特性更加困难。因此，用二维半导体实现逻辑器件在技术上非常具有挑战性。

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韩国科学技术研究院(KIST)院长Seok-jin Yoon宣布，一个联合研究小组已经实现了基于二维半导体的电子和逻辑器件，其电化学特性可以通过一种新的超薄电极材料(Cl-SnSe2)来控制。该研究小组由KIST光电材料和器件中心的Do Kyung Hwang博士和国立群山大学物理系的Kimoon Lee教授领导。

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由于费米能级钉扎现象，传统的二维半导体器件只表现出N型或P型器件的特性，因此很难实现互补逻辑电路。相比之下，新的电极材料可以通过最小化与半导体界面处的缺陷来自由控制N型和P型器件的特性。换句话说，单个器件可以执行N型和P型器件的功能。因此，没有必要分别制造N型和P型器件。利用这种装置，关节研究人员……团队成功实现了一种高性能、低功耗、互补的逻辑电路，可以进行NOR、NAND等逻辑运算。

黄博士说:“这一发展将有助于加速下一代系统技术的商业化，如人工智能系统。由于传统硅半导体器件的小型化和高集成度带来的技术限制，这些技术已经很难在实际应用中使用。新开发的二维电极材料非常薄，因此具有高透射率和柔性，可用于下一代柔性透明半导体器件。”

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